Les données de Jinshi du 14 novembre ont annoncé que Mingde Electronics avait l'intention d'utiliser des fonds propres / levés pour participer à l'enchère de 4,9180 % des actions de Guangxin Microelectronics détenues par Lishui Green Fund. Le prix de départ est de 35,5 millions de yuans. Si cette transaction est mise en œuvre avec succès, l'entreprise détiendra 50,1 % des actions de Guangxin Microelectronics, qui deviendra une filiale de l'entreprise et sera intégrée dans le champ d'application de la consolidation financière de l'entreprise. Les activités principales de Guangxin Microelectronics sont la production de plaquettes de semi-conducteurs de haute technologie et de caractéristiques, qui sont actuellement en phase de production en série et dont la production et les ventes augmentent rapidement. Si cette transaction est réussie, elle aidera l'entreprise à renforcer sa compétitivité de base et à entrer dans un champ de croissance plus large pour les semi-conducteurs de puissance.
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Minde Electronics: Intends to participate in the auction of the transfer of 4.9180% equity of Zhejiang Guanxin Microelectronics
Les données de Jinshi du 14 novembre ont annoncé que Mingde Electronics avait l'intention d'utiliser des fonds propres / levés pour participer à l'enchère de 4,9180 % des actions de Guangxin Microelectronics détenues par Lishui Green Fund. Le prix de départ est de 35,5 millions de yuans. Si cette transaction est mise en œuvre avec succès, l'entreprise détiendra 50,1 % des actions de Guangxin Microelectronics, qui deviendra une filiale de l'entreprise et sera intégrée dans le champ d'application de la consolidation financière de l'entreprise. Les activités principales de Guangxin Microelectronics sont la production de plaquettes de semi-conducteurs de haute technologie et de caractéristiques, qui sont actuellement en phase de production en série et dont la production et les ventes augmentent rapidement. Si cette transaction est réussie, elle aidera l'entreprise à renforcer sa compétitivité de base et à entrer dans un champ de croissance plus large pour les semi-conducteurs de puissance.