Equipe da Fudan desenvolve tecnologia de integração de memória flash ultrarrápida: programação ultrarrápida de 20 nanossegundos, não volatilidade de 10 anos
As informações da Jinshi Data em 13 de agosto mostram que a pesquisa preliminar da equipe de Zhou Peng-Liu Chunsen da Universidade Fudan mostrou que a estrutura do semicondutor bidimensional pode aumentar sua velocidade em mais de mil vezes, realizando uma tecnologia de armazenamento de flash de nanossegundos revolucionária. No entanto, como realizar a integração em escala e avançar para uma aplicação prática real ainda é extremamente desafiador. Ao mesmo tempo, a equipe de pesquisa desenvolveu um processo de autoalinhamento que não depende de equipamentos de litografia avançados, combinando a teoria de design de campo elétrico empilhado de armazenamento de flash ultra-rápido com inovações originais, alcançando com sucesso um dispositivo de flash ultra-rápido com um comprimento de canal de 8 nanômetros, que é o dispositivo flash de canal mais curto internacionalmente e ultrapassa o limite físico de tamanho do flash de base de silício (cerca de 15 nanômetros). Com o suporte de camadas finas de canal em nível atômico, esse dispositivo de tamanho ultrapequeno possui programação ultra-rápida de 20 nanossegundos, memória não volátil de 10 anos, vida útil de cem mil ciclos e desempenho de armazenamento polimórfico. Este trabalho impulsionará a aplicação industrial da tecnologia revolucionária de armazenamento de flash ultra-rápido.
Ver original
Esta página pode conter conteúdos de terceiros, que são fornecidos apenas para fins informativos (sem representações/garantias) e não devem ser considerados como uma aprovação dos seus pontos de vista pela Gate, nem como aconselhamento financeiro ou profissional. Consulte a Declaração de exoneração de responsabilidade para obter mais informações.
Equipe da Fudan desenvolve tecnologia de integração de memória flash ultrarrápida: programação ultrarrápida de 20 nanossegundos, não volatilidade de 10 anos
As informações da Jinshi Data em 13 de agosto mostram que a pesquisa preliminar da equipe de Zhou Peng-Liu Chunsen da Universidade Fudan mostrou que a estrutura do semicondutor bidimensional pode aumentar sua velocidade em mais de mil vezes, realizando uma tecnologia de armazenamento de flash de nanossegundos revolucionária. No entanto, como realizar a integração em escala e avançar para uma aplicação prática real ainda é extremamente desafiador. Ao mesmo tempo, a equipe de pesquisa desenvolveu um processo de autoalinhamento que não depende de equipamentos de litografia avançados, combinando a teoria de design de campo elétrico empilhado de armazenamento de flash ultra-rápido com inovações originais, alcançando com sucesso um dispositivo de flash ultra-rápido com um comprimento de canal de 8 nanômetros, que é o dispositivo flash de canal mais curto internacionalmente e ultrapassa o limite físico de tamanho do flash de base de silício (cerca de 15 nanômetros). Com o suporte de camadas finas de canal em nível atômico, esse dispositivo de tamanho ultrapequeno possui programação ultra-rápida de 20 nanossegundos, memória não volátil de 10 anos, vida útil de cem mil ciclos e desempenho de armazenamento polimórfico. Este trabalho impulsionará a aplicação industrial da tecnologia revolucionária de armazenamento de flash ultra-rápido.